GaAs(100)上の歪んだInAsの3次元の島形成と分布の特性

MADHUKAR A; XIE Q; CHEN P; KONKAR A

文献

J-GLOBAL ID：200902158369396484 整理番号：94A0522337

GaAs(100)上の歪んだInAsの3次元の島形成と分布の特性

Nature of strained InAs three-dimensional island formation and distribution on GaAs(100).

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=94A0522337&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0522337&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 64 号： 20 ページ： 2727-2729 発行年： 1994年05月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs(100)上に形成したInAsの3次元の島状構造の密...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0522337&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

半導体薄膜

, , , ,

前のページに戻る