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J-GLOBAL ID：200902158426493173   整理番号：98A0267739

サファイア基板からのGaN薄膜の損傷無しの分離

Damage-free separation of GaN thin films from sapphire substrates.

著者 (3件)： WONG W S (Univ. California, California) ,  SANDS T (Univ. California, California) ,  CHEUNG N W (Univ. California, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 72  号： 5  ページ： 599-601  発行年： 1998年02月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 38nsのKrFエキシマパルスレーザ(400~600J/cm...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： リフトオフ

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイア基板 ,  GaN ,  薄膜 ,  損傷