非常に低い貫通転位密度および滑らかな表面を持つ表面活性剤媒介による緩和したSi<sub>0.5</sub>Ge<sub>0.5</sub>傾斜層

LIU J L; MOORE C D; U’REN G D; LUO Y H; LU Y; JIN G; THOMAS S G; GOORSKY M S; WANG K L

文献

J-GLOBAL ID：200902158578287714 整理番号：99A0892752

非常に低い貫通転位密度および滑らかな表面を持つ表面活性剤媒介による緩和したSi_0.5Ge_0.5傾斜層

A surfactant-mediated relaxed Si_0.5Ge_0.5 graded layer with a very low threading dislocation density and smooth surface.

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巻： 75 号： 11 ページ： 1586-1588 発行年： 1999年09月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

固体ソース分子ビームエピタクシーによって非常に滑らかな表面お...

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半導体薄膜

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非常に低い貫通転位密度および滑らかな表面を持つ表面活性剤媒介による緩和したSi0.5Ge0.5傾斜層

非常に低い貫通転位密度および滑らかな表面を持つ表面活性剤媒介による緩和したSi_0.5Ge_0.5傾斜層