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J-GLOBAL ID：200902158611222585   整理番号：99A0667405

プラズマ支援エピタクシーによるZnO層の低温エピタキシャル成長

Low temperature epitaxial growth of ZnO layer by plasma-assisted epitaxy.

著者 (4件)： YAMAUCHI S (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  HANDA H (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  NAGAYAMA A (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  HARIU T (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 345  号： 1  ページ： 12-17  発行年： 1999年05月07日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純Zn元素を用いて13.56MHzでのrfパワーで励起した酸...

シソーラス用語： *エピタクシー ,...
準シソーラス用語： プラズマ蒸着

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  支援 ,  エピタクシー ,  ZnO ,  低温 ,  エピタキシャル成長