イオン注入によるn型ダイヤモンドのGaオーム接触

TERAJI T; KOIZUMI S; KANDA H

文献

J-GLOBAL ID：200902158669659029 整理番号：00A0347304

イオン注入によるn型ダイヤモンドのGaオーム接触

Ga Ohmic contact for n-type diamond by ion implantation.

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資料名：
巻： 76 号： 10 ページ： 1303-1305 発行年： 2000年03月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Gaイオン注入によりn型ダイヤモンド膜上に電気接触を形成した...

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半導体-金属接触

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