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J-GLOBAL ID：200902158705453106   整理番号：01A0523866

AlGaNディープレベル欠陥がAlGaN/GaNの2次元電子ガス〔2-DEG)キャリア閉込めに及ぼす影響

Influence of AlGaN Deep Level Defects on AlGaN/GaN 2-DEG Carrier Confinement.

著者 (6件)： BRADLEY S T (Ohio State Univ., OH, USA) ,  YOUNG A P (Ohio State Univ., OH, USA) ,  BRILLSON L J (Ohio State Univ., OH, USA) ,  MURPHY M J (Cornell Univ., NY, USA) ,  SCHAFF W J (Cornell Univ., NY, USA) ,  EASTMAN L F (Cornell Univ., NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48  号： 3  ページ： 412-415  発行年： 2001年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN HEMTデバイス構造の各層における欠陥を...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  欠陥 ,  GaN ,  2次元電子ガス ,  DEG ,  キャリア閉込め