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J-GLOBAL ID：200902158709290996   整理番号：98A0732902

再構成されたGaAs(001)面上での島状構造の核形成および成長

Island Nucleation and Growth on Reconstructed GaAs(001) Surfaces.

著者 (6件)： ITOH M (Imperial Coll., London, GBR) ,  BELL G R (Imperial Coll., London, GBR) ,  AVERY A R (Imperial Coll., London, GBR) ,  JONES T S (Imperial Coll., London, GBR) ,  JOYCE B A (Imperial Coll., London, GBR) ,  VVEDENSKY D D (Imperial Coll., London, GBR)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 81  号： 3  ページ： 633-636  発行年： 1998年07月20日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsの閃亜鉛鉱構造,(001)面の(2×4)再構成および...

シソーラス用語： *表面再構成 ,...

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 再構成 ,  GaAs ,  島状構造 ,  核形成 ,  成長