バナジウム添加の高抵抗6H-SiCでの補償機構

JENNY J R; SKOWRONSKI M; MITCHEL W C; HOBGOOD H M; GLASS R C; AUGUSTINE G; HOPKINS R H

文献

J-GLOBAL ID：200902159008019232 整理番号：95A0907670

バナジウム添加の高抵抗6H-SiCでの補償機構

On the compensation mechanism in high-resistivity 6H-SiC doped with vanadium.

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資料名：
巻： 78 号： 6 ページ： 3839-3842 発行年： 1995年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

気相輸送法による無添加6H-SiCはしばしば10<sup>1...

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不純物・欠陥の電子構造

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