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J-GLOBAL ID：200902159038526198   整理番号：96A1010090

Si(111)表面上でのPb薄膜成長の初期段階のTOF-ICISSによる研究

The initial stage of Pb thin film growth on Si(111) surface studied by TOF-ICISS.

著者 (5件)： TANAKA Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORISHITA H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  RYU J-T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KATAYAMA I (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  OURA K (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 118  号： 1/4  ページ： 530-532  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 飛行時間法直衝突イオン散乱分光法を用いて室温における標記薄膜...

シソーラス用語： 薄膜成長 ,...
準シソーラス用語： 直衝突イオン散乱分光法

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分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の結晶成長  (BK13030M) ,  金属,合金の放射化学的分析  (CC06040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Pb ,  薄膜成長 ,  初期段階 ,  TOF ,  研究