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J-GLOBAL ID：200902159046088760   整理番号：94A0937104

Si界面制御層によるGaAsショットキー障壁高さの制御とその量子構造への応用

Control of GaAs Schottky Barrier Height by Si Interface Control Layer and its Application for Quantum Structures.

著者 (4件)： 葛西誠也 (北大 工) ,  宇野正一 (北大 工) ,  橋詰保 (北大 工) ,  長谷川英機 (北大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 94  号： 268(ED94 66-78)  ページ： 79-86  発行年： 1994年10月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si界面制御層を用い,GaAsショットキー障壁高さを制御する...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  界面 ,  制御層 ,  GaAs ,  ショットキー障壁高さ ,  量子構造 ,  応用