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J-GLOBAL ID：200902159087468454   整理番号：01A0835729

バルクGaN上に成長させた高効率,高出力AlGaNベースの紫外発光ダイオード

Efficient and high-power AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode grown on bulk GaN.

著者 (3件)： NISHIDA T (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  SAITO H (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI N (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 79  号： 6  ページ： 711-712  発行年： 2001年08月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一量子井戸構造の標記LEDを試作し,裸チップ状態で注入電流...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...

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分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： バルク ,  GaN ,  成長 ,  高効率 ,  高出力 ,  AlGaN ,  紫外発光ダイオード