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J-GLOBAL ID：200902159209790735   整理番号：96A0366307

4H及び6H-SiC中のバナジウムアクセプタ準位の位置の深準位過渡分光とHall効果による研究

Deep level transient spectroscopic and Hall effect investigation of the position of the vanadium acceptor level in 4H and 6H SiC.

著者 (7件)： JENNY J R (Carnegie-Mellon Univ., Pennsylvania) ,  SKOWRONSKI J (Carnegie-Mellon Univ., Pennsylvania) ,  MITCHEL W C (Wright Lab., Ohio) ,  HOBGOOD H M (Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania) ,  GLASS R C (Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania) ,  AUGUSTINE G (Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania) ,  HOPKINS R H (Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 68  号： 14  ページ： 1963-1965  発行年： 1996年04月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バナジウムと窒素をドープした標記試料中のバナジウムアクセプタ...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 6H-SiC ,  バナジウム ,  アクセプタ準位 ,  深準位過渡分光 ,  Hall効果 ,  研究