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J-GLOBAL ID：200902159464610465   整理番号：96A0967418

減圧CVD法による3C-SiCヘテロエピ膜の表面モフォロジー (II)

Surface morphology of 3C-SiC heteroepitaxial layers grown by LPCVD on Si substrates. (II).

著者 (5件)： 高橋徹夫 (電総研) ,  石田夕起 (電総研) ,  奥村元 (電総研) ,  吉田貞史 (電総研) ,  関川敏弘 (電総研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 57th  号： 1  ページ： 224  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 減圧 ,  CVD法 ,  3C-SiC ,  テロ ,  エピ膜 ,  表面モフォロジー