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J-GLOBAL ID：200902159528315306   整理番号：01A0200943

チタン酸ビスマス強誘電体の大残留分極に対する欠陥制御 高価数カチオンのドーピング効果

Defect Control for Large Remanent Polarization in Bismuth Titanate Ferroelectrics. Doping Effect of Higher-Valent Cations.

著者 (4件)： NOGUCHI Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIWA I (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  GOSHIMA Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIYAYAMA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 12B  ページ： L1259-L1262  発行年： 2000年12月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi₄Ti₃O<...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： 誘電分散

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分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (13件)：

• 1) S. E. Cummins and L. E. Cross: J. Appl. Phys. 39 (1968) 2268.
• 2) M. Yamaguchi and T. Nagatomo: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 5166.
• 3) H. Nagata, N. Chikushi and T. Takenaka: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 5497.
• 4) A. Rae, J. Thompson, R. Withers and A. Willis: Acta Crystallogr. Sect. B 46 (1990) 474.
• 5) S.-K. Kim, M. Miyayama and H. Yanagida: Mater. Res. Bull. 31 (1996) 121.

タイトルに関連する用語 (7件)： チタン酸ビスマス ,  強誘電体 ,  残留分極 ,  欠陥 ,  価数 ,  カチオン ,  ドーピング効果