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J-GLOBAL ID：200902159529367040   整理番号：97A0945303

インプリントリソグラフィーを使って作製したナノスケールシリコン電界トランジスタ

Nanoscale silicon field effect transistors fabricated using imprint lithography.

著者 (3件)： GUO L (Univ. Minnesota, Minnesota) ,  KRAUSS P R (Univ. Minnesota, Minnesota) ,  CHOU S Y (Univ. Minnesota, Minnesota)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 71  号： 13  ページ： 1881-1883  発行年： 1997年09月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノインプリントリソグラフィーを利用してナノスケールのシリコ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： インプリントリソグラフィー ,  作製 ,  電界 ,  トランジスタ