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J-GLOBAL ID：200902159583223895   整理番号：93A0526068

Molecular beam epitaxial grown of Sb/GaSb multilayer structures: potential application as a narrow bandgap system.

著者 (7件)： GOLDING T D (Univ. Houston, Texas, USA) ,  DURA J A (Univ. Houston, Texas, USA) ,  WANG W C (Univ. Houston, Texas, USA) ,  ZBOROWSKI J T (Univ. Houston, Texas, USA) ,  VIGLIANTE A (Univ. Houston, Texas, USA) ,  CHEN H C (Univ. Houston, Texas, USA) ,  MEYER J R (Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 127  号： 1/4  ページ： 777-782  発行年： 1993年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： Sb ,  GaSb