真の屈折率でガイドされた自己整合構造を持つモノリシック集積した780nm帯高出力レーザダイオードと650nm帯レーザダイオード

ONISHI T; IMAFUJI O; FUKUHISA T; MOCHIDA A; KOBAYASHI Y; YURI M; ITOH K; SHIMIZU H

文献

J-GLOBAL ID：200902159612017124 整理番号：01A0724263

真の屈折率でガイドされた自己整合構造を持つモノリシック集積した780nm帯高出力レーザダイオードと650nm帯レーザダイオード

Monolithically Integrated 780-nm-Band High-Power and 650-nm-Band Laser Diodes with Teal Refractive Index Guided Self-Aligned Structure.

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資料名：
巻： 13 号： 6 ページ： 550-552 発行年： 2001年06月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

真の屈折率でガイドされた自己整合(RISA)構造を持つ780...

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半導体レーザ

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