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J-GLOBAL ID：200902159769782657   整理番号：01A0523889

AlGaN/GaN HFETのDCおよびRF特性に対する表面状態の影響

The Impact of Surface States on the DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HFETs.

著者 (4件)： VETURY R (Univ. California, CA, USA) ,  ZHANG N Q (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U K (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48  号： 3  ページ： 560-566  発行年： 2001年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系のHFETは高出力マイクロ波用途用に関心が持たれてい...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： HFET ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  HFET ,  DC ,  RF