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J-GLOBAL ID：200902159872303201   整理番号：01A0972754

Siエミッタ上に成長させたカーボンナノチューブ電界エミッタアレイからの放出特性

Emission Properties from Carbon Nanotube Field Emitter Arrays (FEAs) Grown on Si Emitters.

著者 (4件)： YOSHIMOTO T (Hokkaido Tokai Univ., Sapporo, JPN) ,  IWATA T (Hokkaido Tokai Univ., Sapporo, JPN) ,  MINESAWA R (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  MATSUMOTO K (Advanced Ind. Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 9A/B  ページ： L983-L985  発行年： 2001年09月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siチップ上に化学蒸着によって成長させたカーボンナノチューブ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (10件)：

• 1) J. Itoh, S. Kanemaru and T. Matsukawa: Trans. Inst. Electron. Inf. Commun. Eng. C-I, 5 (1999) Vol. J82C-I, p. 249 [in Japanese].
• 2) S. Kanemaru, T. Hirano, K. Honda and J. Itoh: Appl. Surf. Sci. 146 (1999) 198.
• 3) Y. Saito, R. Mizushima, S. Kondo and M. Maida: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 4168.
• 4) S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell and H. Dai: Science 283 (1999) 512.
• 5) Y. Saito, S. Uemura and K. Hamaguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L346.

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  エミッタ ,  成長 ,  カーボンナノチューブ ,  電界エミッタアレイ ,  放出