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J-GLOBAL ID：200902159926315111   整理番号：93A0781535

Investigation of the Hydrogen Content of Silicon in an Integrated Rapid Thermal Processing Reactor.

著者 (6件)：
GEORGE M A

GEORGE M A について

(Lehigh Univ., PA)

Lehigh Univ., PA について

, 
BECK S E

BECK S E について

(Air Products and Chemicals Inc., PA.)

Air Products and Chemicals Inc., PA. について

, 
BOHLING D A

BOHLING D A について

(Air Products and Chemicals Inc., PA.)

Air Products and Chemicals Inc., PA. について

, 
HAMES G A

HAMES G A について

(North Carolina State Univ. NC.)

North Carolina State Univ. NC. について

, 
WORTMAN J J

WORTMAN J J について

(North Carolina State Univ. NC.)

North Carolina State Univ. NC. について

, 
MELZAK J A

MELZAK J A について

(Case Western Reserve Univ., OH.)

Case Western Reserve Univ., OH. について


資料名：
Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3  (Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3)

Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3 について


ページ： 481-492  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930443  ISBN： 1-55899-177-8  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
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RaPID

RaPID について


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