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J-GLOBAL ID：200902159928458270   整理番号：01A0187981

21世紀を迎えたエレクトロニクスの技術展望 Si-Ge系ヘテロデバイスの開発動向

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著者 (3件)：
室田淳一

室田淳一 について

(東北大 電気通信研 超高密度・高速知能システム実験施設)

東北大 電気通信研 超高密度・高速知能システム実験施設 について

, 
鷲尾勝由

鷲尾勝由 について

(日立 中研)

日立 中研 について

, 
高木信一

高木信一 について

(東芝 研開セ)

東芝 研開セ について


資料名：
電子材料  (Electronic Parts and Materials)

電子材料 について


巻： 40  号： 1  ページ： 28-38  発行年： 2001年01月01日 
JST資料番号： F0040A  ISSN： 0387-0774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Si-Ge系ヘテロ構造をMOSFETのチャネルに応用する試み...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*HBT【トランジスタ】

HBT【トランジスタ】 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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SiGeデバイス

SiGeデバイス について


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分類 (2件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 
(BM03083P)

13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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21世紀

21世紀 について

, 
エレクトロニクス

エレクトロニクス について

, 
展望

展望 について

, 
Si

Si について

, 
Ge

Ge について

, 
開発動向

開発動向 について


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