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J-GLOBAL ID:200902159928458270   整理番号:01A0187981

21世紀を迎えたエレクトロニクスの技術展望 Si-Ge系ヘテロデバイスの開発動向

著者 (3件):
資料名:
巻: 40  号:ページ: 28-38  発行年: 2001年01月01日 
JST資料番号: F0040A  ISSN: 0387-0774  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Si-Ge系ヘテロ構造をMOSFETのチャネルに応用する試み...
シソーラス用語:
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準シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 

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