研究者
J-GLOBAL ID：200901049819929243   更新日: 2022年09月27日

室田 淳一

ムロタ ジュンイチ | Murota Junichi
所属機関・部署：
東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター

東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター について


職名： 名誉教授
研究分野 (4件)： 結晶工学 ,  応用物性 ,  薄膜、表面界面物性 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (8件)： 高度歪制御 ,  ナノ立体構造 ,  原子制御 ,  ナノヘテロ構造 ,  原子層ドーピング ,  原子層成長 ,  化学気相成長 ,  IV族半導体
競争的資金等の研究課題 (5件)：
  • 1995 - 現在 ヘテロ界面の物理と化学
  • 1995 - 現在 ヘテロ構造の製作と極微半導体デバイスに関する研究
  • 1995 - 現在 極微細パターンの形成と高精度不純物制御に関する研究
  • 1995 - 現在 プロセスにおける表面吸着と反応の機構とその制御に関する研究
  • 1995 - 現在 原子精度の薄膜成長、エッチング、表面処理に関する研究
論文 (336件)：
  • J. Murota, Y. Yamamoto, I. Costina, B. Tillack, V. Le Thanh, R. Loo, M. Caymax. Atomically Controlled Processing for Dopant Segregation in CVD Si and Ge Epitaxial Growth. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2018. 7. 6. P305-P310
  • J. Murota, Y. Yamamoto, I. Costina, F. Bärwolf, B. Tillack, V. Le Thanh, R. Loo, B. Douhard, M. Ayyad, M. Caymax. Dopant Segregation and Diffusion in CVD Epitaxial Grown Germanium (Invited Paper). Proc. 6th Int. Workshop on Nanotechnology and Application-IWNA 2017, Phan Thiet, Vietnam, Nov. 8-11, 2017. 2017. 37-41
  • Yuji Yamamoto, Li-Wei Nien, Giovanni Capellini, Michele Virgilio, Ioan Costina, Markus Andreas Schubert, Winfried Seifert, Ashwyn Srinivasan, Roger Loo, Giordano Scappucci, et al. Photoluminescence of phosphorus atomic layer doped Ge grown on Si. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2017. 32. 10. 104005-6pp
  • Yuji Yamamoto, Peter Zaumseil, Markus Andreas Schubert, Anne Hesse, Junichi Murota, Bernd Tillack. Abrupt SiGe and Si Profile Fabrication by Introducing Carbon Delta Layer. ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2017. 6. 8. P531-P534
  • J. Murota, Y. Yamamoto, I. Costina, B. Tillack, V. Le Thanh, R. Loo, M. Caymax. Atomically Controlled Processing for Ge CVD Epitaxial Growth (Invited Paper). Proc. 2016IEEE13th Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT 2016). 2016. S20-2
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MISC (7件)：
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特許 (18件)：
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書籍 (19件)：
  • “Integrated Nanodevice and Nanosystem Fabrication-Materials, Techniques, and New Opportunities” (Edited by S. Deleonibus)
    Pan Stanford Publishing Pte. Ltd. 2017
  • “Photonics and Electronics with Germanium” (Edited by K. Wada and L. C. Kimerling)
    Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. Germany 2015
  • “Silicon-Germanium (SiGe) Nanostructures: Production, Properties and Applications in Electronics” (Edited by Y. Shiraki and N. Usami)
    Woodhead Publishing Ltd., Cambridge, UK 2011
  • 薄膜ハンドブック(第2版,日本学術振興会薄膜第131委員会編)
    オーム社 2008 ISBN:9784274205194
  • 新訂版・表面科学の基礎と応用
    エヌ・ティ-・エス社 2004 ISBN:4860430514
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講演・口頭発表等 (74件)：
  • Dopant Segregation and Diffusion in CVD Epitaxial Grown Germanium
    (The 6th International Workshop on Nanotechnology and Application-IWNA 2017, Phan Thiet, Vietnam, Nov. 8-11, 2017, Abs.Code. NFT-003-I. 2017)
  • Atomically Controlled Processing for In-Situ Doping in CVD Si and Ge Epitaxial Growth
    (The First International Semiconductor Conference for Gloval Challenges (ISCGC2017) Nanjing, China, July 16-19, 2017. p.30 . 2017)
  • Atomically Controlled Processing for Dopant Segregation in CVD Silicon and Germanium Epitaxial Growth
    (Int. Conf. on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT 6); Schloss Hernstein, Austria, May 21-25, 2017. 2017)
  • Dopant Segregation in Si and Ge CVD Epitaxial Growth
    (The 8th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (IWAMSN2016), Ha Long City, Vietnam, Nov. 8-12, 2016, No. NMD-122, pp.33-34. 2016)
  • Atomically Controlled Processing for Ge CVD Epitaxial Growth
    (2016IEEE13th Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT 2016), Hangzhou, China, Oct. 25-28. No.S20-2 2016)
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学歴 (2件)：
  • - 1972 北海道大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
  • - 1970 北海道大学 工学部 電子工学科
学位 (1件)：
  • 工学博士 (北海道大学)
経歴 (4件)：
  • 1995/02 - 2012/03 東北大学 電気通信研究所 教授
  • 1985/03 - 1995/02 東北大学 電気通信研究所 助教授
  • 1983/04 - 1985/03 日本電信電話公社厚木電気通信研究所 研究員
  • 1972/04 - 1983/03 日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所 研究員
委員歴 (16件)：
  • 2012/10 - 現在 The Electrochemical Society(ECS) ECS Fellow
  • 2012/10 - 現在 米国電気化学協会 フェロー
  • 2009/09 - 現在 Japan Society of Applied Physics(JSAP) JSAP Fellow
  • 2009/09 - 現在 応用物理学会 フェロー
  • 2005/05 - 現在 International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics Organizing committee chair, Program committee chair, etc.
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受賞 (5件)：
  • 2012/10 - The Electrochemical Society The Electrochemical Society(ECS) Fellow For outstanding contributions to atomically controlled processing of group IV semiconductors by chemical vapor deposition for ultralarge scale integration
  • 2010/04 - 文部科学省 2010年度 文部科学大臣表彰 科学技術賞(研究部門) 大規模集積化対応IV族半導体CVD原子制御プロセスの研究
  • 2009/07 - Jpn. Soc. Appl. Phys. 第3回(2009年度)応用物理学会フェロー表彰 IV族半導体ヘテロCVD技術による原子制御プロセスの開発
  • 2004/04 - JJAP:Japanese Journal of Applied Physics 第2回(2003年度)JJAP編集貢献賞
  • 2003/11 - 材料科学技術振興財団 第3回(平成15年度)山崎貞一賞・半導体及び半導体装置分野 IV族半導体へテロCVD技術の開発と原子制御プロセスの創生
所属学会 (2件)：
The Electrochemical Society ,  応用物理学会
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