化学蒸着による低温(850°C)シリコンエピタキシャル膜中への酸素と塩素原子の導入

MIYAUCHI A; UEDA K; INOUE Y; SUZUKI T; IMAI Y

文献

J-GLOBAL ID：200902160066896632 整理番号：95A0539379

化学蒸着による低温(850°C)シリコンエピタキシャル膜中への酸素と塩素原子の導入

Incorporation of oxygen and chlorine atoms into low-temperature (850°C) silicon epitaxial films by chemical vapor deposition.

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巻： 66 号： 21 ページ： 2867-2869 発行年： 1995年05月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ジクロロシランガスの分圧と低温成長のSiエピタキシャル膜中へ...

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半導体薄膜

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