陽極酸化法で製作した単結晶Siフィールドエミッタ

HIGA K; NISHII K; ASANO T

文献

J-GLOBAL ID：200902160336637260 整理番号：97A0831024

陽極酸化法で製作した単結晶Siフィールドエミッタ

Single-crystal Si field emitter fabricated by anodization.

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資料名：
巻： 71 号： 7 ページ： 983-985 発行年： 1997年08月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

n/p接合をもつSi上に暗状態で陽極酸化を行い,p型領域に多...

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熱電子放出,電界放出 , その他の固体デバイス

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