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J-GLOBAL ID:200902160522507597   整理番号:93A0697131

イオンビームアシスト成長により得られるβ-FeSi2の表面形態とエピタクシー

Surface morphology and epitaxy of β-FeSi2 obtained by ion beam assisted growth.
著者 (3件):
資料名:
巻: 80/81  号: Pt 2  ページ: 1371-1375  発行年: 1993年06月 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高温に保った〈100〉配向Si単結晶上にFeの蒸着と低エネル...
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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