水素化非晶質けい素薄膜の高速成長のための陰極加熱と水素希釈によるシランの放電中の粉体の生成の制御

BANERJEE R; SHARMA S N; CHATTOPADHYAY S; BATABYAL A K; BARUA A K

文献

J-GLOBAL ID：200902160638946245 整理番号：93A0937364

水素化非晶質けい素薄膜の高速成長のための陰極加熱と水素希釈によるシランの放電中の粉体の生成の制御

Control of powder formation in silane discharge by cathode heating and hydrogen dilution for high-rate deposition of hydrogenated amorphous silicon thin films.

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資料名：
巻： 74 号： 7 ページ： 4540-4545 発行年： 1993年10月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

プラズマ中の気相重合による粉体の生成を制御して膜の光電的性質...

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半導体薄膜

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