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J-GLOBAL ID：200902160666198289   整理番号：94A0118286

Photo-induced current transient spectroscopy of Al_0.48In_0.52As semi-insulating layers grown on InP by molecular beam epitaxy.

著者 (8件)： KALBOUSSI A (Inst. National des Sciences Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  HALKIAS G (Foundation for Research and Technology, Crete, GRC) ,  GEORGAKILAS A (Univ. Maryland, MD, USA) ,  MARRAKCHI G (Inst. National des Sciences Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  ZEKENTES K (Foundation for Research and Technology, Crete, GRC) ,  CRISTOU A (Univ. Maryland, MD, USA) ,  TABATA A (Inst. National des Sciences Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  GUILLOT G (Inst. National des Sciences Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： 22  号： 1  ページ： 93-96  発行年： 1993年12月20日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： InP