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J-GLOBAL ID：200902160829016655   整理番号：95A0206754

11W Ku帯WSi/Au T型埋め込みゲートHeterostructure FET

An 11W Ku-band Heterostructure FET with WSi/Au T-shaped buried Gate.

著者 (9件)： 宇土元純一 (三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研) ,  小丸真喜雄 (三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研) ,  後藤清毅 (三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研) ,  後藤慶 (三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研) ,  井上晃 (三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研) ,  国井徹郎 (三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研) ,  河野康孝 (三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研) ,  谷野憲之 (三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研) ,  三井茂 (三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 94  号： 435(ICD94 190-203)  ページ： 67-72  発行年： 1995年01月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Ku帯において高出力・高効率なHeterostructure...

シソーラス用語： MESFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ku帯 ,  WSI ,  Au ,  T型 ,  埋め込み ,  ゲート ,  FET