Si(001)上の歪Si1-xGex,Si1-yCyおよびSi1-x-yGexCyにおける価電子帯オフセットのX線光電子分光法による評価

KIM M; OSTEN H J

文献

J-GLOBAL ID：200902160909403390 整理番号：97A0586963

Si(001)上の歪Si_1-xGe_x,Si_1-yC_yおよびSi_1-x-yGe_xC_yにおける価電子帯オフセットのX線光電子分光法による評価

X-ray photoelectron spectroscopic evaluation of valence band offsets for strained Si_1-xGe_x,Si_1-yC_y, and Si_1-x-yGe_xC_y on Si(001).

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巻： 70 号： 20 ページ： 2702-2704 発行年： 1997年05月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si(001)上の歪ヘテロエピタキシャル系の価電子帯オフセッ...

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半導体結晶の電子構造 , 電子分光スペクトル

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