MBE growth of Si-inserted GaAs quantum wells and their electronic properties.

文献

J-GLOBAL ID：200902160936593681 整理番号：93A0491130

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0491130&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0491130&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0403B") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
号： 129 ページ： 342-352 発行年： 1993年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSAC 資料種別：会議録 (C)
発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

, ,

前のページに戻る