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J-GLOBAL ID：200902160939549144   整理番号：97A0024146

SiO₂上の薄いシリコン膜の逐次横方向凝固

Sequential lateral solidification of thin silicon films on SiO₂.

著者 (2件)： SPOSILI R S (Columbia Univ., New York) ,  IM J S (Columbia Univ., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 69  号： 19  ページ： 2864-2866  発行年： 1996年11月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いSi膜において従来実現できなかった一方向性凝固微細構造を...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： レーザ結晶化

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiO2 ,  シリコン膜 ,  逐次 ,  横方向 ,  凝固