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J-GLOBAL ID：200902160993239339   整理番号：93A0709889

The Effect of Base Dopant Level and Thickness on The Radiation Response of Ga_0.47In_0.53As Solar Cells.

著者 (4件)： WALTERS R J (Naval Research Lab., Washington, DC) ,  SHAW G J (Naval Research Lab., Washington, DC) ,  SUMMERS G P (Naval Research Lab., Washington, DC) ,  MESSENGER S R (SFA, Inc., MD)
資料名： 5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials  (5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
ページ： 600-604  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930399  ISBN： 0-7803-0994-4  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)