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J-GLOBAL ID：200902161007586723   整理番号：97A0722338

CoSi₂/Si(100)非均質構造へのPdイオン注入によるSi(100)への3成分Co_1-xPd_xSi₂形成

Formation of ternary Co_1-xPd_xSi₂ on Si(100) by Pd ion implantation in CoSi₂/Si(100) heterostructures.

著者 (8件)： TISCH U (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  HOLLAENDER B (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  HACKE M (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  MESTERS S (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  MICHELSEN W (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  GUGGI D (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  MANTL S (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  KABIUS B (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 127/128  ページ： 324-327  発行年： 1997年05月 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PdによってCo原子の数%を置き換え,CoSi<sub>2<...

シソーラス用語： イオン注入 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  Pd ,  イオン注入