文献

J-GLOBAL ID：200902161032758830   整理番号：00A0547273

4H-SiCのSchottkyダイオードのブレークダウンに及ぼすエピタキシャル成長と基板によって誘起される欠陥の影響

Influence of epitaxial growth and substrate-induced defects on the breakdown of 4H-SiC Schottky diodes.

著者 (7件)： WAHAB Q (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  ELLISON A (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HENRY A (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JANZEN E (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HALLIN C (ABB Corp. Res., Vaesteras, SWE) ,  DI PERSIO J (Univ. Sci. and Technol. Lille, Villeneuve d’Asq, FRA) ,  MARTINEZ R (Univ. Sci. and Technol. Lille, Villeneuve d’Asq, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 19  ページ： 2725-2727  発行年： 2000年05月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCの形態的欠陥と基本螺旋転位を高電圧Ni電極Sch...

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0547273&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  Schottkyダイオード ,  ブレークダウン ,  エピタキシャル成長 ,  誘起 ,  欠陥