表面亀裂を伴うNH<sub>3</sub>を利用した分子線エピタクシーによる高品質ホモエピタキシャルGaNの成長

MAYER M; PELZMANN A; KAMP M; EBELING K J; TEISSEYRE H; NOWAK G; LESZCZYNSKI M; POROWSKI S; KARCZEWSKI G

文献

J-GLOBAL ID：200902161079219210 整理番号：98A0177142

表面亀裂を伴うNH₃を利用した分子線エピタクシーによる高品質ホモエピタキシャルGaNの成長

High Quality Homoepitaxial GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy with NH₃ on Surface Cracking.

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著者 (9件)： , , , , , , , ,
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巻： 36 号： 12B ページ： L1634-L1636 発行年： 1997年12月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

表面亀裂を加えたアンモニアを窒素前駆体に利用して,単結晶Ga...

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半導体薄膜 , 励起子 , 半導体のルミネセンス

引用文献 (12件)：

1) S. Nakamura: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2 (1997) 5.
2) T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sowaki and I. Akasaki: J. Cryst. Growth 137 (1994) 170.
3) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 797
4) D. C. Reynolds, D. C. Look, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoç and D. N. Talwar: J. Appl. Phys. 80 (1996) 594
5) M. Kamp, M. Mayer, A. Pelzmann and K. J. Ebeling: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449 (1997) 162.

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表面亀裂を伴うNH3を利用した分子線エピタクシーによる高品質ホモエピタキシャルGaNの成長

表面亀裂を伴うNH₃を利用した分子線エピタクシーによる高品質ホモエピタキシャルGaNの成長