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J-GLOBAL ID：200902161198550880   整理番号：95A0605184

層間誘電体適用のための斬新な自己プレーナ化CVD酸化膜

Novel Self-planarizing CVD Oxide for Interlayer Dielectric Applications.

著者 (9件)： MATSUURA M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  HAYASHIDE Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KOTANI H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  NISHIMURA T (Ryoden Semiconductor Engineering Corp., Hyogo, JPN) ,  IUCHI H (Ryoden Semiconductor Engineering Corp., Hyogo, JPN) ,  DOBSON C D (Electrotech International Ltd., Bristol, GBR) ,  KIERMASZ A (Electrotech International Ltd., Bristol, GBR) ,  BEEKMANN K (Electrotech International Ltd., Bristol, GBR) ,  WILBY R (Electrotech International Ltd., Bristol, GBR)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1994  ページ： 117-120  発行年： 1994年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本技術の鍵は,SiH₄とH<sub>2...

シソーラス用語： 酸化膜 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘電体 ,  自己 ,  プレーナ ,  CVD ,  酸化膜