電子シェーディング効果により引き起こされるSiプロセスプラズマ中の電荷ビルドアップ

KAMATA T; ARIMOTO H

文献

J-GLOBAL ID：200902161209687912 整理番号：96A0795689

電子シェーディング効果により引き起こされるSiプロセスプラズマ中の電荷ビルドアップ

Charge build-up in Si-processing plasma caused by electron shading effect.

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巻： 80 号： 5 ページ： 2637-2642 発行年： 1996年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

2~40mTorrのAr誘導結合プラズマ中の電子シェーディン...

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プラズマ応用 , 固体デバイス製造技術一般

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