二段階成長法によるSi(100)基板上の無歪Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>の作製

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J-GLOBAL ID：200902161375696393 整理番号：95A1007924

二段階成長法によるSi(100)基板上の無歪Si_1-xGe_xの作製

Growth of relaxed Si1-xGex films on Si(100) by two-step growth.

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資料名：
巻： 56th 号： 1 ページ： 173 発行年： 1995年08月
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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