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J-GLOBAL ID：200902161530348194   整理番号：93A0526057

Structural and electronic properties of GaAs:C and Al_xGa_1-xAs:C grown by solid-source molecular beam epitaxy.

著者 (5件)： GIANNINI C (Centro Nazionale Ricerca e Sviluppo Materiali(CNRSM), Mesagne, ITA) ,  BRANDT O (Mitsubishi Central Research Lab., Hyogo, JPN) ,  FISCHER A (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU) ,  PLOOG K H (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU) ,  TAPFER L (Centro Nazionale Ricerca e Sviluppo Materiali(CNRSM), Mesagne, ITA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 127  号： 1/4  ページ： 724-727  発行年： 1993年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： GaAs