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J-GLOBAL ID：200902161678438630   整理番号：96A0423112

電子デバイスにおける接合技術 シリコンULSIにおける多層配線の高密度化,高性能化,高信頼化の手法

Issues and Perspectives from Standpoints of High Density, High Performance and High Reliability in Multi-Level Interconnection Technology for Future’s ULSI’s.

著者 (1件)： 柴田英毅 (東芝 半導体デバイス技研)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 35  号： 4  ページ： 348-354  発行年： 1996年04月 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 多層配線技術における配線の微細化・高密度化を目的とした配線層...

シソーラス用語： 多層配線 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (24件)：

• DENNARD, R. H. IEEE J. Solid-State Circuits. 1974, Vol.SC-9, 256
• JOSHI, R. V. Conf. Proc. Mat. Res. Soc. 1992, 35
• BURKE, P. A. Proc. IEEE VMIC. 1991, 379
• OHTANI, H. Proc. IEEE VMIC. 1995, 447
• HAYASHIDE, Y. Proc. IEEE VMIC. 1995, 464

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子デバイス ,  シリコン ,  ULSI ,  多層配線 ,  高密度化 ,  高性能化 ,  手法