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J-GLOBAL ID：201002004747656400   整理番号：75A0028850

物理的寸法の極めて小さなイオン注入MOSFETの設計

Design of ion-implanted MOSFET’s with very small physical dimensions.

著者 (6件)： DENNARD R H ,  GAENSSLEN F H ,  YU H-N ,  RIDEOUT V L ,  BASSOUS E ,  LeBLANC A R
資料名： I E E E J Solid-State Circuit (Inst Electr Electron Eng)  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 9  号： 5  ページ： 256-268  発行年： 1974年 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ディジタル集積回路に適し,1μ程度の寸法をもつ超小形MOSF...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： イオンインプランテーション

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タイトルに関連する用語 (4件)： 物理 ,  イオン注入 ,  MOSFET ,  設計