バットカップリング導波路と高い反射率をもつ半導体/空気Bragg反射器(SABAR)を用いて集積化した1.3μm GaInAsPレーザ

MUKAIHARA T; YAMANAKA N; IWAI N; ISHIKAWA T; KASUKAWA A

文献

J-GLOBAL ID：200902161738685933 整理番号：98A0511235

バットカップリング導波路と高い反射率をもつ半導体/空気Bragg反射器(SABAR)を用いて集積化した1.3μm GaInAsPレーザ

1.3μm GaInAsP lasers integrated with butt-coupled waveguide and high reflective semiconductor/air Bragg reflector(SABAR).

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資料名：
巻： 34 号： 9 ページ： 882-884 発行年： 1998年04月30日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

この新型レーザはSABAR(semiconductor/ai...

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半導体レーザ

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