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J-GLOBAL ID：200902161744736221   整理番号：01A0493969

一酸化窒素中の高温アニールによる4H-SiC MOSFET反転チャネル移動度の改善

Improved Inversion Channel Mobility for 4H-SiC MOSFETs Following High Temperature Anneals in Nitric Oxide.

著者 (9件)： CHUNG G Y (Auburn Univ., AL, USA) ,  TIN C C (Auburn Univ., AL, USA) ,  MCDONALD K (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  CHANANA R K (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  WELLER R A (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  PANTELIDES S T (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  HOLLAND O W (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  DAS M K (Cree Res., Inc., NC, USA) ,  PALMOUR J W (Cree Res., Inc., NC, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 22  号： 4  ページ： 176-178  発行年： 2001年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一酸化窒素中高温アニールによる伝導帯エッジ近傍のSiC/Si...

シソーラス用語： 一酸化窒素 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 一酸化窒素 ,  アニール ,  4H-SiC ,  MOSFET ,  反転 ,  チャネル移動度