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J-GLOBAL ID：200902161760342403   整理番号：01A0712449

マイクロ波電力増幅器の低ひずみ化技術

Low Distortion Technologies for Microwave Power Amplifier Designs.

著者 (1件)： 伊藤康之 (三菱電機 情報技総研)
資料名： 電子情報通信学会誌  (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
巻： 84  号： 7  ページ： 467-470  発行年： 2001年07月01日 
JST資料番号： F0019A  ISSN： 0913-5693  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マイクロ波電力増幅器の低ひずみ化の困難性を説明し,マイクロ波...

シソーラス用語： *電力増幅器 ,...

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分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

引用文献 (17件)：

• 小西良弘. マイクロ波半導体回路. 1993
• 伊藤康之. MMIC技術の基礎と応用. 1996
• IWAI, T. High Efficiency and High Linearity In GaP/GaAs HBT Power Amplifiers: Matching Techniques of Source and Load Impedance to Improve Phase Distortion and Linearity. IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 1998, 45, 12, 1196-1200
• MORI, K. Improvement of Adjacent Channel Leakage Power and Intermodulation Distortion by Using a GaAs FET Linearizer with a Large Source Inductance. IEICE Trans. Electron. 1997, E80-C, 6, 775-781
• BLACK, H. S. U. S. Patent. 1937

タイトルに関連する用語 (2件)： マイクロ波電力増幅器 ,  低ひずみ