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J-GLOBAL ID：200902161826776434   整理番号：93A0610030

スパッタ法によるSi上への単結晶Al(110)成長における基板バイアス効果

Effect of substrate bias for epitaxial growth of Al(110) on Si by sputtering.

著者 (4件)： 市川博 (広島大) ,  市川善之 (広島大) ,  横山新 (広島大) ,  小柳光正 (広島大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 1  ページ： 173  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタ法 ,  Si ,  単結晶 ,  Al ,  成長 ,  基板バイアス効果