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J-GLOBAL ID：200902161930487258   整理番号：01A0458389

Ta₂O₅のND₃アニールによって調製した超薄TaO_xN_yゲート誘電体の電気特性および信頼性特性

Electrical and Reliability Characteristics of an Ultrathin TaO_xN_y Gate Dielectric Prepared by ND₃ Annealing of Ta₂O₅.

著者 (4件)： JUNG H (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR) ,  IM K (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR) ,  YANG D (Jusung Engineering, Kyunggi, KOR) ,  HWANG H (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 21  号： 12  ページ： 563-565  発行年： 2000年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート誘電体応用に使うため,酸化タンタル(Ta<sub>2<...

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,...
準シソーラス用語： オキシナイトライド ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ta2O5 ,  アニール ,  調製 ,  ゲート誘電体 ,  電気特性 ,  信頼 ,  性特性