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J-GLOBAL ID：200902162010955850   整理番号：94A0154145

水素原子援用MBE法によるGaAs/Si低温成長

Low-temperature growth of GaAs/Si by Hydrogen Assisted MBE.
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著者 (3件)：
太田殖

太田殖 について

(筑波大 物質工学系)

筑波大 物質工学系 について

, 
岡田至崇

岡田至崇 について

(筑波大 物質工学系)

筑波大 物質工学系 について

, 
川辺光央

川辺光央 について

(筑波大 物質工学系)

筑波大 物質工学系 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 54th  号： 1  ページ： 222  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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水素原子

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援用

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MBE

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GaAs

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Si

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低温成長

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