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J-GLOBAL ID：200902162014875745   整理番号：94A0163658

最適化二重ヘテロ接合型シュウドモルフィックInP/In_xGa_1-xAs/InP(0.64≦x≦0.82)p-MODFETとその設計における歪の役割

Optimized Double Heterojunction Pseudomorphic InP/In_xGa_1-xAs/InP (0.64≦x≦0.82) p-MODFET’s and the Role of Strain in Their Design.

著者 (5件)： KUESTERS A M (Inst. Halbeitertechnik, Aachen, DEU) ,  KOHL A (Inst. Halbeitertechnik, Aachen, DEU) ,  SOMMER V (Inst. Halbeitertechnik, Aachen, DEU) ,  MUELLER R (Inst. Halbeitertechnik, Aachen, DEU) ,  HEIME K (Inst. Halbeitertechnik, Aachen, DEU)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 40  号： 12  ページ： 2164-2170  発行年： 1993年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ヘテロ接合型シュウドモルフィックInP/In<sub>x...

シソーラス用語： HEMT ,...
準シソーラス用語： 変調ドープFET

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 最適化 ,  二重ヘテロ接合 ,  InP ,  MODFET ,  設計 ,  歪 ,  役割