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J-GLOBAL ID:200902162206993903   整理番号:99A0584470

GaNエピタキシャル成長基板としての(La,Sr)(Al,Ta)O3単結晶の成長と評価

Growth and characterization of (La,Sr)(Al,Ta)O3 single crystals as substrates for GaN epitaxial growth.
著者 (5件):
資料名:
巻: 194  号:ページ: 209-213  発行年: 1998年11月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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酸化物の結晶成長 

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