GaNエピタキシャル成長基板としての(La,Sr)(Al,Ta)O<sub>3</sub>単結晶の成長と評価

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J-GLOBAL ID：200902162206993903 整理番号：99A0584470

GaNエピタキシャル成長基板としての(La,Sr)(Al,Ta)O₃単結晶の成長と評価

Growth and characterization of (La,Sr)(Al,Ta)O₃ single crystals as substrates for GaN epitaxial growth.

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資料名：
巻： 194 号： 2 ページ： 209-213 発行年： 1998年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

Czochralski法により,〈111〉方位(La,Sr)...

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酸化物の結晶成長

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