SiC単結晶インゴットの(0001)基底面に垂直な面上での昇華成長

文献

J-GLOBAL ID：200902162380183724 整理番号：94A0156259

Sublimation growth of SiC single crystalline ingots on faces perpendicular to the (0001) basal plane.

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資料名：
巻： 135 号： 1/2 ページ： 61-70 発行年： 1994年01月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

昇華法によりSiC単結晶インゴットを(0001)基底面に垂直...

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半導体の結晶成長

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